روشی که کنترل ریزتراشه ها را متحول می نماید - تور آلمان ارزان

به گزارش خبرنگاران و به نقل از ام.آی.تی نیوز، پژوهشگران، روش جدیدی برای کنترل مغناطیسم در ریزتراشه ها ابداع نموده اند که می تواند تحولی در زمینه حافظه، محاسبات و ابزار حسی به وجود آورد. همچنین، این روش می تواند بر محدودیت های فیزیکی که موجب کندی پیشرفت در این حوزه شده اند غلبه کند.

پژوهشگران دانشگاه ام.آی.تی(MIT) و آزمایشگاه ملی بروکهیون(BNL) آمریکا نشان داده اند که می توان ویژگی های مغناطیسی یک ماده باریک را با به کار بردن ولتاژ کمی کنترل کرد. تغییرات اجرا شده در جهت گیری مغناطیسی، با این روش در حالت جدید خود باقی می مانند و برخلاف ریزتراشه های استاندارد کنونی، به انرژی مداوم نیازی ندارند.

این پژوهش نشان می دهد که می توان به جای یون های اکسیژن، از یون های هیدروژن استفاده کرد. از آنجا که می توان یون های هیدروژن را به سادگی فشرده کرد، سرعت این سیستم بالاتر است و مزایای قابل توجهی دارد.

از آنجا که یون های هیدروژن، بسیار کوچکتر هستند، می توانند به ساختار ابزار اسپینترونیک یا اسپین الکترونیک وارد و از آن خارج شوند و بدون آسیب زدن به ماده، جهت گیری مغناطیسی آن را تغییر دهند. در واقع، اکنون این گروه پژوهشی نشان داده است که این فرآیند هیچ آسیبی به ماده نمی رساند و برخلاف یون های اکسیژن، هیدروژن می تواند به سادگی از میان لایه های فلزی عبور کند و امکان کنترل ویژگی های لایه های ابزار را فراهم سازد.

آیک جون تن(Aik Jun Tan)، استاد فارغ التحصیل دانشگاه ام.آی.تی و از پژوهشگران این پروژه گفت: با پمپاژ شدن هیدروژن در آهنربا، گردش نیروی مغناطیسی شروع می گردد. با به کار دریافت ولتاژ، جهت نیروی مغناطیسی تا 90 درجه تغییر می نماید. از آنجا که قطب های آهن ربا برای ذخیره اطلاعات به کار می روند، نوشتن و پاک کردن اطلاعات ابزار اسپینترونیک با استفاده این روش، امکان پذیر می گردد.

جفری بیچ(Geoffrey Beach)، استاد علوم مواد و مهندسی دانشگاه ام.آی.تی گفت: کوشش ما این است که آنالوگی مغناطیسی از یک ترانزیستور ارائه دهیم که فعال و غیرفعال کردن آن به صورت مداوم ممکن باشد و در عین حال، به ویژگی های فیزیکی ترانزیستور آسیب نزند.

یافته های این پژوهش، در مجله Nature Materials به چاپ رسید.